1. 高灵敏度与快速响应

• 压阻效应是指半导体材料（如硅）在受力时电阻率发生显著变化的现象。这种变化与应变呈高度线性关系，且灵敏度（压阻系数）远高于金属应变片（约50-100倍）。因此，即使是微小的形变或高频冲击，也能产生可检测的电信号。

• 响应时间极短（可达微秒级），能够捕捉瞬态的高g值冲击信号（如爆炸、弹道冲击等）。

2. 结构坚固，耐高冲击

• MEMS工艺：现代压阻传感器通常采用微机电系统（MEMS）技术，将压阻元件集成在硅基底上。硅的机械强度高（弹性模量~190 GPa），可承受数万g的加速度（例如，某些MEMS压阻传感器可测>50,000g的冲击）。

• 小型化设计：微型化结构（尺寸在毫米甚至微米级）降低了惯性质量，减少了高频冲击下的结构失效风险。

3. 宽频率范围

• 压阻传感器的固有频率通常很高（可达数百kHz），远高于压电或电容式传感器，因此适合测量高频冲击信号（如弹丸撞击、爆炸冲击波）。

4. 无需外部供电即可测量静态信号

• 与压电传感器不同，压阻传感器无需电荷积累，可直接通过电阻变化测量静态或准静态力（如持续冲击后的残余应力），而高g值冲击中可能包含静态分量。

5. 温度与非线性补偿成熟

• 硅压阻元件虽然受温度影响较大，但通过惠斯通电桥设计、温度补偿电路或算法（如多项式拟合），可以有效修正误差，确保高冲击环境下的精度。

6. 抗电磁干扰

• 压阻传感器输出为电阻变化（通常转换为电压信号），不易受强电磁场干扰，适合复杂电磁环境（如导弹、航天器）。